Баригдсан хүчдэлийг хэрхэн тооцоолох вэ?

2024 Зохиолч: Miles Stephen | [email protected]. Хамгийн сүүлд өөрчлөгдсөн: 2023-12-15 23:39

The баригдсан боломж (300 К-д) f-тэй тэнцүү_би = kT/q ln(10¹⁶ x 9 x 10¹⁷/н_би²) = 0.77 В, kT/q = 25.84 мВ ба n-ийг ашиглан_би = 10¹⁰ см^-3. The баригдсан боломж (100°С-д) f-тэй тэнцүү_би = kT/q ln(10¹⁶ x 9 x 10¹⁷/н_би²) = 0.673 В, kT/q = 32.14 мВ ба n-ийг ашиглан_би = 8.55 x 10¹¹ см^-3 (Жишээ 20-оос).

Тиймээс pn уулзварын хүчдэл гэж юу вэ?

байдаг" барьсан -д” Хүчдэл үед p-n уулзвар p тал руу электронууд, n тал руу нүх орохоос сэргийлдэг интерфэйс. Үед хүчдэл V эерэг ("урагш" туйлшрал) экспоненциал нэр томъёо нь V-ээр хурдан нэмэгдэж, гүйдэл өндөр байна.

Мөн саад бэрхшээлийг хэрхэн хэмжих вэ? Энгийн вольтметр нь хязгаарлагдмал оролтын эсэргүүцэлтэй байдаг бөгөөд энэ нь зүгээр л гэсэн үг юм хэмжих хүчдэлтэй бол вольтметрээр тодорхой хэмжээний (жижиг) гүйдэл байх ёстой. Тиймээс, to хэмжих суурилуулсан боломж вольтметр бүхий диодын хувьд суурилуулсан байхыг шаарддаг боломж вольтметрээр (жижиг) гүйдлийг 'хөтөх'.

Дараа нь хүчдэлд юу баригдсан бэ?

4.3. 1 The барьсан - боломжит. The барьсан - Хагас дамжуулагч дахь потенциал нь дулааны тэнцвэрт байдалд байгаа хомсдолын бүс дэх потенциалтай тэнцүү байна. Бөөн потенциал нь ферми энерги ба дотоод энерги хоорондын зайг тодорхойлдог тул энэ нь мөн бүс бүрийн задгай потенциалын нийлбэртэй тэнцүү байна.

Хагарлын бүс гэж юу гэсэн үг вэ?

Хагарлын бүс эсвэл хомсдолын давхарга нь бүс нутаг хөдөлгөөнт цэнэглэгч байхгүй P-N уулзвар диод. Хагарлын давхарга n талаас электрон урсгалыг, p талаас нүхийг эсэргүүцэх хаалт шиг ажилладаг.